行业巨头研发闪存堆叠新技术，AI助力需求持续旺盛
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据科技媒体报道，SK海力士已经开始突破NAND闪存堆叠的限制，计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产，作为连接两个半导体晶圆的下一代封装技术。
随着人工智能相关半导体对高带宽存储(HBM)需求的推动，NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。存储巨头三星和SK海力士都在加紧努力，提升NAND产品的性能和容量。研究机构预计，2024年的DRAM内存、NAND闪存行业收入将分别大幅增加75%、77%。主流存储产品涨价有望传导至利基市场，当前MCU库存去化有望逐步进入尾声，模拟芯片库存已回归正常水位，功率、碳化硅、代工厂、封测厂、AI服务器等都有持续向好迹象。
来源：金融界
